| 產(chǎn)地類別 | 國產(chǎn) |
|---|
TF1200-PECVD型等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor
Deposition) 等離子體增強化學氣相沉積法
等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)
設備介紹：
本設備是借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發(fā)生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。為了使化學反應能在較低的溫度下進行，利用了等離子體的活性來促進反應，因而這種CVD稱為等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)。
產(chǎn)品簡介：
此款設備配有Plasma實現(xiàn)等離子增強，滑軌式設計在操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處，使樣品能得到一個快速的升溫速度，同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處，使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下，得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調(diào)裝置，可準確的控制反應腔體內(nèi)部的氣體壓力，帶刻度的調(diào)節(jié)閥對于做低壓CVD非常簡單實用，工藝重復性好，對于石墨烯生長工藝非常合適，也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。
主要組成系統(tǒng)及特點：
本設備主要由管式加熱爐體，真空系統(tǒng)，質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，射頻等離子源，石英反應腔室等部件組成。
主要特點：
1、通過射頻電源把石英真空室內(nèi)的氣體變?yōu)殡x子態(tài)。
2、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積所需的溫度更低。
3、可以通過射頻電源的頻率來控制所沉積薄膜的應力大小。
4、PECVD比普通CVD進行化學氣相沉積速率高、均勻性好、*性和穩(wěn)定性高。
5、廣泛應用于：各種薄膜的生長，如：SiOx, SiNx, SiOxNy 和無定型硅(a-Si:H) 等。
開啟式真空管式爐技術參數(shù) | |||||
| 石英管尺寸 | L1400mm *（根據(jù)需求選擇不同直徑的石英管作為反應室。有Φ40，Φ60，Φ80，Φ100，Φ120，Φ150等規(guī)格可選。） | |||
加熱元件 | 摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲 | ||||
測溫元件 | K型熱電偶 | ||||
加熱區(qū)長度 | 400mm | ||||
恒溫區(qū)長度 | 200mm | ||||
工作溫度 | ≤1100℃ | ||||
控溫模式 | 模糊PID控制和自整定調(diào)節(jié)，智能化30段可編程控制，具有超溫和斷偶報警功能 | ||||
控溫精度 | ±1℃ | ||||
升溫速率 | ≤20℃/min | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/3KW | ||||
質(zhì)量供氣系統(tǒng)技術參數(shù)（根據(jù)需求選擇多路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)。有兩路GQ-2Z，三路GQ-2Z，四路GQ-2Z，五路GQ-2Z或更多路供選擇。） | |||||
| 外形尺寸 | 600x600x600mm | |||
標準量程 | 50sccm（CH4）、200sccm（H2）、500sccm（Ar、N2）； | ||||
數(shù)顯壓力表測量范圍 | -0.1Mpa～0.15Mpa | ||||
極限壓力 | 3MPa | ||||
針閥 | 316不銹鋼 | ||||
截止閥 | Φ6mm 316不銹鋼針閥 | ||||
電功率 | AC220V/50HZ/20W | ||||
響應時間 | 氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec | ||||
準確度 | ±1.5% | ||||
線性 | ±0.5～1.5% | ||||
重復精度 | ±0.2% | ||||
接口 | Φ6,1/4'' | ||||
真空系統(tǒng)技術參數(shù)（根據(jù)需求選擇不同真空效果的真空系統(tǒng)。有DZK10-1（極限真空0.1Pa），GZK10-3（極限真空0.001Pa），以及進口高真空機組（極限真空0.0001Pa）供選擇。） | |||||
| 外型尺寸 | 600×600×600mm | |||
工作電電壓 | 220V±10% 50~60HZ | ||||
功率 | 400W | ||||
抽氣速率 | 4Ls | ||||
極限真空 | 4X10-2Pa | ||||
實驗真空度 | 1.0X10-1Pa | ||||
容油量 | 1.1L | ||||
進氣口口徑 | KF25 | ||||
排氣口口徑 | KF25 | ||||
轉速 | 1450rpm | ||||
射頻電源（根據(jù)需求選擇強度不同的射頻電源。有DLZ300（300W），DLZ500（500W）或更大功率的射頻電源供選擇） | |||||
| 信號頻率 | 13.56 MHz±0.005% | |||
功率輸出范圍 | 5-300W 5W-500W可選 | ||||
最大反射功率 | 200W | ||||
射頻輸出接口 | 50 Ω, N-type, female | ||||
功率穩(wěn)定度 | ±0.1% | ||||
諧波分量 | ≤-50dbc | ||||
供電電壓 | 單相交流（187V-253V） 頻率50/60HZ | ||||
整機效率 | >=70% | ||||
功率因素 | >=90% | ||||
冷卻方式 | 強制風冷 | ||||
艾科迅部分客戶（CVD及PECVD及管式爐系列）
等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng) 常見PECVD系統(tǒng)組合 1. 1200度60滑軌式微型管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，300W射頻電源 |
TF1200-60S-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ300 |
2. 1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 |
TF1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
3. 1200度60雙溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 |
TF1200-60II-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
4. 1200度60三溫區(qū)滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 |
TF1200-60III-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
5. 1200度60微型預熱爐，1200度60滑軌式管式爐，低真空系統(tǒng)，四路質(zhì)子流量供氣系統(tǒng)，500W射頻電源 |
TF1200-60S，MXG1200-60-SL，DZK10-1，GQ-4Z，DLZ500 |
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